Ноябрь 2013

Диаметры медного провода для плавкой  вставки предохранителя Табличка, которая должна быть под руками у каждого электрика. Диаметры медного провода для плавкой   вставки предохранителя Номинальный диаметр медного…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max Uds,max 200V Udg,max Ugs,max Id,max 3.3A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 1.500 Caps N/A Производитель INTERSIL Применение Power MOSFET Аналоги: КП748А,…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 180W Uds,max 100V Udg,max 100V Ugs,max ±20V Id,max 40A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/120nS Ciss 2800pF Rds,ohm 0.055 Caps TO-218 Производитель STE Применение…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 100V Udg,max Ugs,max Id,max 24A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: КП746Г,

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 100V Udg,max Ugs,max Id,max 25A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.1 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: MTP20N08,…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 80V Udg,max Ugs,max Id,max 28A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.077 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: MTP25N05,…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 500V Udg,max 500V Ugs,max 20V Id,max 3A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 45/110 Ciss 460 Rds,ohm 3.000 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 36W Uds,max 350V Udg,max Ugs,max Id,max 2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 27/49nS Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: КП731Б,

MOS FET Channel N 240V, 0,15A, 1W, <20Ohm, 14/40ns Аналог: КП503,

MOS FET Channel N 400V, 0,12A, 1W, <28Ohm, 15/33ns Аналог: КП502