Архивы по месяцам

Декабрь 2013

Обзор LG G Flex

Наконец, LG представила свой первый смартфон изогнутый дисплей в Индии, Flex G, на мероприятии в Нью-Дели. Индийские потребители придется ждать до следующего года, чтобы получить их руки на устройстве, как G Flex будет доступен в Индии…

Транзистор BC560A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 125MIN Производитель TELEFUNKEN Caps TO92 Применение Low Power, Low…

Транзистор BC559C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF 7 Hfe 420MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Low Power, Low Noise,…

Транзистор BC559B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF 7 Hfe 240MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Medium Power, General…

Транзистор BC559A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF 7 Hfe 125MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Medium Power, General…

Транзистор BC558C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF 7 Hfe 420MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Low Power, Low Noise,…

Транзистор BC558A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF 7 Hfe 125MIN Производитель PHILIPS Caps TO226 Применение Medium Power, General…