Март 2017

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1MW BC848 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=110..800, >100MHz SOT-23 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1MR 2SJ84-R p-channel junction Field Effect Transistor (p-FET) General Purpose Applications, 15V, 20mA, 200mW, ldss=0.5..12mA, Up<3V SOT-23 Производитель Panasonic…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1MQ 2SJ84-Q p-channel junction Field Effect Transistor (p-FET) General Purpose Applications, 15V, 20mA, 200mW, ldss=2..6mA, Up<3V SOT-23 Производитель Panasonic…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1MP 2SJ84-P p-channel junction Field Effect Transistor (p-FET) General Purpose Applications, 15V, 20mA, 200mW, ldss=0.5..3mA, Up<3V SOT-23 Производитель Panasonic…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1MP 2SC4128-P Silicon npn transistor General Purpose Applications, 40V, 100mA, 200mW, B=82..180, >230MHz SOT-323 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Mp BC848 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=110..800, >100MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1MN 2SC4128-N Silicon npn transistor General Purpose Applications, 40V, 100mA, 200mW, B=56..120, >230MHz SOT-323 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M8 CMSZ5261B Zener diode 47V±5%, 2.7mA, Zzt=105?, 275mW SOT-323 Производитель Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M5 TC591902ECB Linear voltage regulator integrated circuit Low drop voltage,-1.9V±2%, 200mA SOT-23 Производитель Microchip Technology Inc. www.microchip.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M0 TC55RP192ECB Linear voltage regulator integrated circuit Low drop voltage, 1.9V±2%, 250mA SOT-23 Производитель Microchip Technology Inc. www.microchip.com