Март 2017

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M SMBTA13 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 300mA, 300mW, B>5000, >125MHz SOT-23 Производитель Infineon Technologies AG…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M R3131N44BC Voltage Detector integrated circuit 4.4V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 100ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M MMBTA13 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 300mA, 225mW, B>5000, >125MHz SOT-23 Производитель ON Semiconductor onsemi.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M KST13 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 30V, 300mA, 350mW, B>5000, >125MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M IMBT3903 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, 250mW, B=50..150, >300MHz SOT-23 Производитель ITT Intermetall www.itt-sc.de

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M FMMTA13 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 40V, 300mA, 330mW, B>10000 SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M BC848W Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=110..800, >100MHz SOT-323 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M BC848 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 250mW, B=110..800, >100MHz SOT-23 Производитель Continental Device India Limited…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M BC846T Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 150mW, B=110..450, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1M BC807A-16 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 50V, 500mA, 350mW, B=100..250, >80MHz SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr…