2017

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2M BC817-16 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 500mA, 350mW, B=100..250, >80MHz SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2M BAT754C Silicon diode Dual, Schottky, Switching, U-Fst, 30V, 0.2A, Vf<0.6V(0.1A), <0.3ns SOT-23 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2m FMMT5087 Silicon pnp transistor Audio Frequency, 50V, 100mA, 330mW, B=250..800, >40MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2L5 XC62KN282M Linear voltage regulator integrated circuit Low drop voltage, -2.8V±2%, 100mA, 150mW SOT-23 Производитель Torex Semiconsuctor Ltd. www.torex.co.jp…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2L5 TC592802ECB Linear voltage regulator integrated circuit Low drop voltage, -2.8V±2%, 200mA SOT-23 Производитель Microchip Technology Inc. www.microchip.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2L0 XC62FP2802M Linear voltage regulator integrated circuit 2.8V±2%, 250mA SOT-23 Производитель Torex Semiconsuctor Ltd. www.torex.co.jp

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2L0 TC55RP282ECB Linear voltage regulator integrated circuit Low drop voltage, 2.8V±2%, 250mA SOT-23 Производитель Microchip Technology Inc. www.microchip.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса -2L PMST5401 Silicon pnp transistor High Voltage, 160V, 300mA, 200mW, B=60..240,100..300MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2L TMPT5401 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 160V, 200mA, 350mW, B=60..240, >100MHz SOT-23 Производитель Allegro MicroSystems Inc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2L R3131N26AC3 Voltage Detector integrated circuit 2.6V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 50ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com