2017

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2T? GMBT4403 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 600mA, 225mW, B=30..100,200MHz SOT-23 Производитель GTM Corporation www.gtm.com.tw/

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса -2T PMST4403 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 600mA, 200mW, B=100..300, >200MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2T YTS4403 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 600mA, 225mW, B=30..100,200MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2T TMPT4403 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 600mA, 330mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Allegro MicroSystems Inc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2T S04403 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 600mA, 225mW, B=30..100,200MHz SOT-23 Производитель SGS-Thomson Microelectronics www.st.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2T R3131N26HA3 Voltage Detector integrated circuit 2.6V±1.5%, +Reset Push-Pull Output, 400ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2T MMBT4403T Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 800mA, 200mW, B= 100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Diodes Inc. www.diodes.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2T MMBT4403 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 800mA, 200mW, B= 100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Vishay Semiconductor GmbH…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2T KST4403 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 60V, 600mA, 350mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2T HT2 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 90V, 100mA, 300mW, <500/2000ns SOT-23 Производитель Ferranti Semiconductors (Bought by GPSI)