2017

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2Q R3131N26AA3 Voltage Detector integrated circuit 2.6V±1.5%, +Reset Push-Pull Output, 50ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2Q KST5087 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 50V, 50mA, 350mW, B=250..800, >40MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2Q FMMT5209 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 50mA, 330mW, B=100..300, >30MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2P TMPT5086 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 50V, 50mA, 350mW, B=150..500, >40MHz SOT-23 Производитель Allegro MicroSystems Inc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2P R3131N26HC3 Voltage Detector integrated circuit 2.6V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 400ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2P MMBT5086 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 50mA, 350mW, B=150..500, >40MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2P KST5086 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 50V, 50mA, 350mW, B=150..500, >40MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2P FMMT2222R Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 600mA, 330mW, B=120..360, >250MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2P BC817A-40 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 500mA, 350mW, B=250..630, >80MHz SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2P BC817-40 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 500mA, 350mW, B=250..630, >80MHz SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr…