IRGPH50F
Особенности
• Оптимизирован для средних рабочих частот (от 1 до 10 кГц)
| Параметр |
Макс |
Единицы |
|
|
VCES |
коллектор-эмиттер |
1200 |
В |
|
IC @ TC = 25 ° C |
Непрерывный ток коллектора |
45 |
A |
|
IC @ TC = 100 ° C |
Непрерывный ток коллектора |
25 |
A |
|
ICM |
Импульсный ток коллектора |
90 |
A |
|
ILM |
индуктивный ток нагрузки |
90 |
A |
|
VGE |
Gate-эмиттер напряжение |
± 20 |
В |
|
EARV |
обратное напряжение лавинная энергия |
20 |
МДж |
|
PD @ TC = 25 ° C |
Максимальная рассеиваемая мощность |
200 |
Вт |
|
PD @ TC = 100 ° C |
Максимальная рассеиваемая мощность |
78 |
Вт |
|
TJ TSTG |
Температурный диапазон эксплуатации Диапазон температур хранения |
от -55 до +150 |
° C |
