Транзистор BC560A
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 4.5
Hfe 125MIN
Производитель TELEFUNKEN
Caps TO92
Применение Low Power, Low…
Транзистор BC559C
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 420MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO92
Применение Low Power, Low Noise,…
Транзистор BC559B
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 240MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Medium Power, General…
Транзистор BC559A
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 125MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Medium Power, General…
Транзистор BC558C
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 420MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Low Power, Low Noise,…
Транзистор BC558A
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 125MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO226
Применение Medium Power, General…
Транзистор BC557C
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 7
Hfe 450MIN
Производитель ZETEX
Caps TO92
Применение Low Power, General…
Транзистор BC557B
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 500mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 75MHz
Cctip,pF 9
Hfe 200MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO92
Применение Low Power, General…