Транзистор 2SB710

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 240mW Ucb,max 30V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 500mA Tj,max 125єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 6 Hfe 60/340 Производитель MATSUSHITA Caps TO236 Применение Medium Power,…

Транзистор 2SB546A

 Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 30W Ucb,max 200V Uce,max 150V Ueb,max 5V Ic,max 2A Tj,max 150єC Ft,max 5MHz Cctip,pF - Hfe 40MIN Производитель NEC Caps TO220 Применение Power, High Voltage, General…

Транзистор 2SA7330

Параметр Обозначение Условия измерения КТ3107А Ед.измерения Мин. Тип. Макс. Максимальное дополнительное напряжение коллектор-база V(BR)CBO IC=10мкА, IE=0 50/25 -- -- B Максимальное дополнительное напряжение…

Транзистор 2SA610

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 150mW Ucb,max 30V Uce,max - Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 125єC Ft,max 85MHz Cctip,pF - Hfe 50MIN Производитель SANYO Caps TO92 Применение RF, Low Power, General…

Транзистор 2SA1106

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 100W Ucb,max 140V Uce,max 140V Ueb,max 6V Ic,max 10A Tj,max 150єC Ft,max 20MHz Cctip,pF 400 Hfe 80T Производитель MATSUSHITA Caps TO218 Применение High Power, High…

Маленькое сердце на светодиодах

Переключением светодиодов управляет микросхема DD2 (последовательный сдвиговый регистр). Импульсы, необходимые для правильной работы микросхемы DD2, вырабатываются микросхемой DD1. Генератор тактовых импульсов выполнен на элементах…

Транзистор 2N940

Наименование производителя: 2N940 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер…

Транзистор 2N6721

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 2W Ucb,max 225V Uce,max 220V Ueb,max 6V Ic,max 1A Tj,max 150єC Ft,max - Cctip,pF - Hfe 10/50 Производитель NSC Caps TO226 Применение Power, TV Deflection Аналоги:…