Эл.компоненты

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2L TMPT5401 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 160V, 200mA, 350mW, B=60..240, >100MHz SOT-23 Производитель Allegro MicroSystems Inc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2L R3131N26AC3 Voltage Detector integrated circuit 2.6V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 50ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2L MMBT5401 Silicon pnp transistor High Voltage, 160V, 200mA, 350mW, B=60..240, >100MHz SOT-23 Производитель National Semiconductor Corp. www.national.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2L KST5401 Silicon pnp transistor Video output stages, 160V, 500mA, 350mW, B=60..240, >150MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics www.korea.samsungsemi.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2L FMMT4403 Silicon pnp transistor Audio Frequency, 40V, 600mA, 330mW, B=100..300, >200MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2L BAT754A Silicon diode Dual, Schottky, Switching, U-Fst, 30V, 0.2A, Vf<0.6V(0.1A), <0.3ns SOT-23 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2KN5L 81N29L-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 2.9V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2KN5G 81N29G-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 2.9V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2KN5 81N29-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 2.9V±2%, -Reset Open Drain Output SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2KN3L 81N29L-P-AE3-3 Voltage Detector integrated circuit 2.9V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…