Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1JC3
81C18-P-AE3-3
Voltage Detector integrated circuit
1.8V±2%, -Reset Push-Pull Output
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1JC2L
81C18L-P-AE3-2
Voltage Detector integrated circuit
1.8V±2%, -Reset Push-Pull Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1JC2G
81C18G-P-AE3-2
Voltage Detector integrated circuit
1.8V±2%, -Reset Push-Pull Output, halogen free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1JC2
81C18-P-AE3-2
Voltage Detector integrated circuit
1.8V±2%, -Reset Push-Pull Output
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1JA
MMBT2369A
Silicon npn transistor
Switching, 40V, 200mA, 330mW, B=40..120
SOT-23
Производитель
Motorola Inc. www.motorola.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1J8
CMSZ5258B Zener diode
36V±5%, 3.4mA, Zzt=70?, 275mW
SOT-323
Производитель
Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
-1J
PMST2369
Silicon npn transistor
Switching, 40V, 200mA, 200mW, B=40..120, >500MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1J
R3131N41EA
Voltage Detector integrated circuit
4.1V±1.5%, +Reset Push-Pull Output, 240ms
SOT-23
Производитель
Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1J
MMBT2369
Silicon npn transistor
Switching, 40V, 200mA, 330mW, B=40..120
SOT-23
Производитель
Motorola Inc. www.motorola.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1J
FMMT2369
Silicon npn transistor
Switching, 40V, 200mA, 330mW, B=40..120
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com