Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1F
BC847B
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1EW
BC847AW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1EW
BC847A
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Et
BC847AW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Et
BC847A
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Es
BC847AW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220,250MHz
SOT-323
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Es
BC847AT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=110..220,250MHz
SOT-416
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Es
BC847A
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=110..220,250MHz
SOT-23
Производитель
Siemens AG www.siemens.de
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1EQ
2SC4084-Q
Silicon npn transistor
RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 30V, 50mA, 150mW, >2GHz, B=120..270
SOT-323
Производитель
Rohm…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1EP
2SC4084-P
Silicon npn transistor
RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 30V, 50mA, 150mW, >2GHz, B=82..180
SOT-323
Производитель
Rohm…