Просмотр архива категории

Эл.компоненты

3 pin SMD код (1F)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1F BC847B Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=200..450, >100MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

3 pin SMD код (1EW)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1EW BC847AW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz SOT-323 Производитель Philips China;

3 pin SMD код (1EW)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1EW BC847A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz SOT-23 Производитель Philips China;

3 pin SMD код (1Et)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Et BC847AW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz SOT-323 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor…

3 pin SMD код (1Et)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Et BC847A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz SOT-23 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor…

3 pin SMD код (1Es)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Es BC847AW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220,250MHz SOT-323 Производитель Infineon Technologies AG www.infineon.com…

3 pin SMD код (1Es)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Es BC847AT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=110..220,250MHz SOT-416 Производитель Infineon Technologies AG www.infineon.com…

3 pin SMD код (1Es)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Es BC847A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=110..220,250MHz SOT-23 Производитель Siemens AG www.siemens.de

3 pin SMD код (1EQ)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1EQ 2SC4084-Q Silicon npn transistor RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 30V, 50mA, 150mW, >2GHz, B=120..270 SOT-323 Производитель Rohm…

3 pin SMD код (1EP)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1EP 2SC4084-P Silicon npn transistor RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 30V, 50mA, 150mW, >2GHz, B=82..180 SOT-323 Производитель Rohm…