Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
MMBTA43
Silicon npn transistor
Video output stages, 200V, 500mA, 300mW, B>40, >50MHz
SOT-23
Производитель
ITT Intermetall www.itt-sc.de
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
KST43
Silicon npn transistor
Video output stages, 200V, 500mA, 350mW, B>40, >50MHz
SOT-23
Производитель
Samsung Electronics www.korea.samsungsemi.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
FMMTA43
Silicon npn transistor
Video output stages, 200V, 200mA, 330mW, B=50..200, >50MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
CM9NB847AW
Silicon npn transistor
Audio Frequency, Switching, 50V, 100mA, 150mW, B=110..220,100MHz
SOT-323
Производитель
Canaan Microelectronics Corp. Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
CM9NB847A
Silicon npn transistor
Audio Frequency, Switching, 50V, 100mA, 200mW, B=110..220,100MHz
SOT-23
Производитель
Canaan Microelectronics Corp. Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
BC847AW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
BC847AT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 150mW, B=110..220, >100MHz
SOT-416
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
BC847AF
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220,250MHz
SOT-490
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1E
BC847A
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1DW
BC846W
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=110..450, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips China;