Эл.компоненты

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1D KST42 Silicon npn transistor Video output stages, 300/300V, 500mA, 350mW, B>40, >50MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics www.korea.samsungsemi.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1D IRLML5103 p-channel junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (p-MOSFET) Vertical Metal Oxide Semiconductor, LogL, 30V, 0.76A, <0.60 SOT-23…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1D BC846W Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=110..450, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1D BC846 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=110..450, >100MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1D 2SC4083 Silicon npn transistor High Frequency, TV-Tuner, 11V, 50mA, 200mW, 3.2GHz, B=120..270, Halogen free UMT3 Производитель Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1CY 2SC3341-Y Silicon npn transistor Audio Frequency, 35V, 500mA, 200mW, B=120..240 300MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1CW BAP50-05 PIN-diode Dual, Radio Frequency applications, 50V, 50mA, 500mW, 0.3pF, 30(1 Om A/100MHz) SOT-23 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Ct BAP50-05 PIN-diode Dual, Radio Frequency applications, 50V, 50mA, 500mW, 0.3pF, 30(1 Om A/100MHz) SOT-23 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor manufacture…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1CQ 2SC4082-Q Silicon npn transistor RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 30V, 50mA, 200mW, B=120..270, >1.5GHz SOT-323 Производитель Rohm…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1CP 2SC4082-P Silicon npn transistor RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 30V, 50mA, 200mW, B=82..180, >1.5GHz SOT-323 Производитель Rohm…