Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1A
YTS3904
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 0.1A, 200mW, B= 100..300, >300MHz
SOT-23
Производитель
Toshiba Corporation www.toshiba.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1A
TMPT3904
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 100mA, 200mW, B=100..300, >300MHz
SOT-23
Производитель
Allegro MicroSystems Inc.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1A
SMBT3904
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 0.1A, 200mW, B= 100..300, >300MHz
SOT-23
Производитель
Infineon Technologies AG…
SMD транзистор 2SC2618 код RB, RC, RD
Transistor 2SC2618 SMD code RB, RC, RD
Кремниевый NPN низкочастотный транзистор общего применения
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Комплементарная пара с 2SA1121
- …
SMD транзистор 2SC2463 код DD, DE, DF
Transistor 2SC2463 SMD code DD, DE, DF
Кремниевый NPN низкочастотный транзистор общего применения
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: DD, DE, DF соответствующее…
SMD транзистор 2SC2462 код LB, LC, LD
Transistor 2SC2462 SMD code LB, LC, LD
Кремниевый NPN низкочастотный транзистор общего применения
Особенности:
- Малое напряжение насыщения.
- Маркировка: LB, LC, LD соответствующее…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1A
MMBT3904
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 100mA, 200mW, B= 100..300, >300MHz
SOT-23
Производитель
National Semiconductor Corp.…
SMD транзистор 2SB831 код BB, BC
Transistor 2SB831 SMD code BB, BC
Кремниевый PNP низкочастотный транзистор общего применения
Особенности:
- Большой коэффициент усиления.
- Маркировка: BT соответствующее значению hFE.
- …
SMD транзистор 2SB1048 код BT
Transistor 2SB1048 SMD code BT
Кремниевый PNP низкочастотный составной транзистор общего применения
Особенности:
- Большой коэффициент усиления.
- Маркировка: BT соответствующее значению hFE.
- …
SMD транзистор 2SB1028 код EL, EM
Transistor 2SB1028 SMD code EL, EM
Кремниевый PNP низкочастотный высоковольтный транзистор общего применения
Особенности:
- Высокое напряжение пробоя Vcbo.
- Маркировка: EL, EM соответствующая…