Эл.компоненты

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 PDTC114YEF Silicon npn "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 250mW, R1/R2=10k/47k SOT-490 Производитель NXP Semiconductors (Philips)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 PDTA144VK Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 250mW, R1/R2=47k/10k SC-59 Производитель NXP Semiconductors (Philips)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 PDTA115TE Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 150mW, R1=100k SOT-416 Производитель NXP Semiconductors (Philips)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 MSCT12 Transient voltage supressor Vrwm=12V, 300W (8/20ps) SOT-23 Производитель Mospec Semiconductor Corp. www.mospec.com.tw

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 MAZW120H Surge Absorption Zener diode Dual, 12V, 5mA, 150mW SSSMini3 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics Corp. industrial.panasonic.com/

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 ELM9712NBB Voltage Detector integrated circuit 1.2V±2.5%, +Reset Open Drain Output SOT-23 Производитель ELM Technology Corporation www.elm-tech.com/

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 DTA123EUA Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 200mW, 250MHz, R1/R2=2k2/2k2 UMT3 Производитель Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 DTA123EM Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 150mW, 250MHz, R1/R2=2k2/2k2 VMT3 Производитель Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 DTA123EKA Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 200mW, 250MHz, R1/R2=2k2/2k2 SOT-346 Производитель Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 DTA123EE Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 150mW, 250MHz, R1/R2=2k2/2k2 SOT-416 Производитель Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp