Эл.компоненты

Это схема УВЧ диапазона ТВ усилителя антенны с 15dB усиления мощности. Такой усилитель антенны прост и легко построить. Эта схема формируется на основе BF180 УВЧ транзистора. Первый этап представляет собой полосовой фильтр построен…

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 80WUcb,max Uce,max 350VUeb,max 5VIc,max 7ATj,max 200єCFt,max Cctip,pF Hfe 5MINПроизводитель TICaps TO3Применение Power, General PurposeАналоги: 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 40WUcb,max 400VUce,max 300VUeb,max 5VIc,max 1ATj,max 150єCFt,max 10MHzCctip,pF Hfe 30/150Производитель TICaps TO220Применение Power, High Voltage, General PurposeАналоги: BUV36, …

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 65WUcb,max 140VUce,max 100VUeb,max 5VIc,max 6ATj,max 150єCFt,max 3MHzCctip,pF Hfe 20/100Производитель TICaps TO220Применение High Power, High Voltage, General PurposeАналоги: TIP42C, …

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 65WUcb,max 120VUce,max 80VUeb,max 5VIc,max 6ATj,max 150єCFt,max 3MHzCctip,pF Hfe 20/100Производитель TICaps TO220Применение High Power, High Voltage, General PurposeАналоги: 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 65WUcb,max 100VUce,max 60VUeb,max 5VIc,max 6ATj,max 150єCFt,max 3MHzCctip,pF Hfe 20/100Производитель TICaps TO220Применение High Power, High Voltage, General PurposeАналоги: 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 90WUcb,max 100VUce,max 70VUeb,max 7VIc,max 15ATj,max 150єCFt,max 3MHzCctip,pF Hfe 20/70Производитель TICaps TO218Применение Power, General PurposeАналоги: TIP33C, TIP3055, 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 80WUcb,max 350VUce,max 350VUeb,max 8VIc,max 7ATj,max 150єCFt,max Cctip,pF 100Hfe 200MINПроизводитель TICaps TO220Применение Darlington, PowerАналоги: BU910, BU911, 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 80WUcb,max 300VUce,max 300VUeb,max 8VIc,max 7ATj,max 150єCFt,max Cctip,pF 100Hfe 200MINПроизводитель TICaps TO220Применение Darlington, PowerАналоги: BU910, BU911, 

Тип Биполярный транзисторМатериал SiСтруктура npnPc,max 125WUcb,max 100VUce,max 100VUeb,max 5VIc,max 10ATj,max 150єCFt,max Cctip,pF Hfe 500MINПроизводитель TICaps TO218Применение Darlington, PowerАналоги: TIP140, TIP141, ECG270,