Эл.компоненты

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2D Z02W2.7V Zener diode 2.50..2,90V, lzt=5mA, Zzt=110?, 200mW SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2D TZT2.7W Zener diode 2.50..2,90V, lzt=5mA, Zzt=110?, 200mW SOT-23 Производитель TAITRON Components Incorporated www.taitroncomponents.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2D SMBTA92 Silicon pnp transistor Video output stages, 300/300V, 500mA, 330mW, B=25, >50MHz SOT-23 Производитель Infineon Technologies AG www.infineon.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2D R3131N42EC Voltage Detector integrated circuit 4.2V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 240ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2D MMBTA92 Silicon pnp transistor Video output stages, 300V, 500mA, 330mW, B=25, >50MHz SOT-23 Производитель Vishay Semiconductor GmbH www.vishay.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2D MMBT92 Silicon pnp transistor 300V, 500mA, 300mW, B>40, >50MHz SOT-23 Производитель Vishay Semiconductor GmbH www.vishay.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2D MMBD914PT Silicon diode Switching, 100V, 200mA, Vf<1V(10mA), 4ns SOT-23 Производитель Chenmko Enterprise Co., Ltd. www.chenmko.com/

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2D MBTA92 Silicon pnp transistor Video output stages, 300/300V, 500mA, 250mW, B>40, >50MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2D KST92 Silicon pnp transistor Video output stages, 300V, 500mA, 350mW, B>40, >50MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics www.korea.samsungsemi.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 2D 2SK3064 n-channel junction Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (n-MOSFET) Switching, 30V, 100mA, 150mW, 300(10mA), 150/35ns SOT-323 Производитель…