Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
240AC
BL8509-240ACRM
Voltage Detector integrated circuit
2.4V±2%, -Reset Push-Pull Output, Td=50ms
SOT-23
Производитель
Shanghai Belling Co, Ltd. www.belling.com.cn…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
240
HZM24NB
Zener diode
22.93..25.57V, lzt=5mA, 200mW
SC-59A
Производитель
Renessas (Hitachi and Mitsubishi) Ltd. www.renesas.eu/
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
24-
HZM2.4NB
Zener diode
2.1..2.4V, lzt=5mA, 200mW
SC-59A
Производитель
Renessas (Hitachi and Mitsubishi) Ltd. www.renesas.eu/
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
-24
PDTC114TU
Silicon npn "digital" transistor
Switching, 50V, 100mA, 200mW, R1=10k
SOT-323
Производитель
NXP Hong Kong;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
24
Z02W24V
Zener diode
22.80..25.60V, lzt=5mA, Zzt=40?, 200mW
SOT-23
Производитель
Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
24
TZT24W
Zener diode
22.80..25.60V, lzt=5mA, Zzt=40?, 200mW
SOT-23
Производитель
TAITRON Components Incorporated www.taitroncomponents.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
24
PDTC114TK
Silicon npn "digital" transistor
Switching, 50V, 100mA, 250mW, R1=10k
SC-59
Производитель
NXP Semiconductors (Philips)
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
24
PDTC114TE
Silicon npn "digital" transistor
Switching, 50V, 100mA, 150mW, R1=10k
SOT-416
Производитель
NXP Semiconductors (Philips)
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
24
PDTA124TEF
Silicon pnp "digital" transistor
Switching, 50V, 100mA, 250mW, R1=22k
SOT-490
Производитель
NXP Semiconductors (Philips)
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
24
NE85619-FB
Silicon npn transistor
RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 20V, 100mA, 125mW, 4.5GHz, B=80..160
SOT-323
Производитель…