SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1U 2SC3110 Silicon npn transistor RF applications (>250 MHz), 15V, 30mA, 200mW, 4.5GHz, B>40 SC-59A Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1TS 2SC4773-S Silicon npn transistor Radio Frequency applications, Switching, 6V, 50mA, B=270..560,800MHz SOT-323 Производитель Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1TR 2SC4773-R Silicon npn transistor Radio Frequency applications, Switching, 6V, 50mA, B=180..390,800MHz SOT-323 Производитель Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1TQ 2SC4773-Q Silicon npn transistor Radio Frequency applications, Switching, 6V, 50mA, B=120..270,800MHz SOT-323 Производитель Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1T8 CMSZ5267B Zener diode 75V±5%, 1.7mA, Zzt=270?, 275mW SOT-323 Производитель Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1T1 SST5101 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, >125MHz SOT-23 Производитель Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1T1 MMST5101 Silicon pnp transistor Audio Frequency, 60V, 200mA, B=200..400, >125MHz SOT-23 Производитель Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса -1T PDTD123TT Silicon npn "digital" transistor Switching, 50V, 500mA, 250mW, R1=2.2k SOT-23 Производитель NXP Hong Kong;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса -1T PDTC123TU Silicon npn "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 200mW, R1=2.2k SOT-323 Производитель NXP Hong Kong;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1T R3131N44HA Voltage Detector integrated circuit 4.4V±1.5%, +Reset Push-Pull Output, 400ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com