SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1CQ 2SC4082-Q Silicon npn transistor RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 30V, 50mA, 200mW, B=120..270, >1.5GHz SOT-323 Производитель Rohm…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1CP 2SC4082-P Silicon npn transistor RF applications (100...250MHz)/RF applications (>250 MHz), 30V, 50mA, 200mW, B=82..180, >1.5GHz SOT-323 Производитель Rohm…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Cp BAP50-05 PIN-diode Dual, Radio Frequency applications, 50V, 50mA, 500mW, 0.3pF, 3?(1 OmA/100MHz) SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1C0 2SC3341-0 Silicon npn transistor Audio Frequency, 35V, 500mA, 200mW, B=70..140,300MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1CN5L 81N12L-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 1.2V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1CN5G 81N12G-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 1.2V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1CN5 81N12-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 1.2V±2%, -Reset Open Drain Output SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1CN3L 81N12L-P-AE3-3 Voltage Detector integrated circuit 1.2V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1CN3G 81N12G-P-AE3-3 Voltage Detector integrated circuit 1.2V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1CN3 81N12-P-AE3-3 Voltage Detector integrated circuit 1.2V±2%, -Reset Open Drain Output SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…