SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 120 KTY82/120 Thermal detector integrated circuit Sensor, Rs=980..1020?(25°C, 1mA) SOT-23 Производитель NXP Semiconductors (Philips)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 120 HZM12NB Zener diode 11.42.. 12.6V, lzt=5mA, 200mW SC-59A Производитель Renessas (Hitachi and Mitsubishi) Ltd. www.renesas.eu/

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса -12 PDTC114TT Silicon npn "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 250mW, R1=10k SOT-23 Производитель NXP Hong Kong;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса -12 PDTA144VU Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 200mW, R1/R2=47k/10k SOT-323 Производитель NXP Hong Kong;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 Z02W12V Zener diode 11.40.. 12.60V, lzt=5mA, Zzt=15?, 200mW SOT-23 Производитель Korea Electronics Co. Ltd www.kec.co.kr

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 TZT12W Zener diode 11.40.. 12.60V, lzt=5mA, Zzt=15?, 200mW SOT-23 Производитель TAITRON Components Incorporated www.taitroncomponents.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 PDTC114YEF Silicon npn "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 250mW, R1/R2=10k/47k SOT-490 Производитель NXP Semiconductors (Philips)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 PDTA144VK Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 250mW, R1/R2=47k/10k SC-59 Производитель NXP Semiconductors (Philips)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 PDTA115TE Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 150mW, R1=100k SOT-416 Производитель NXP Semiconductors (Philips)

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 12 MSCT12 Transient voltage supressor Vrwm=12V, 300W (8/20ps) SOT-23 Производитель Mospec Semiconductor Corp. www.mospec.com.tw