SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 113 SST113 n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET) Switching, 35V, 350mW, ldss=2mA, Rds(on)=100?, 2/6ns SOT-23 Производитель Calogic, LLC www.calogic.net/…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 113 PZM11NB3 Zener diode 11V±2.5%, lf=250mA, 300mW SOT-346 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 113 DTA143ZUA Silicon pnp "digital" transistor Switching, 50V, 100mA, 200mW, 250MHz, R1/R2=4k7/47k UMT3 Производитель Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 112 HZM11NB2 Zener diode 10.76..11.22V, lzt=5mA, 200mW SC-59A Производитель Renessas (Hitachi and Mitsubishi) Ltd. www.renesas.eu/

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 112 SST112 n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET) Switching, 35V, 350mW, ldss=5mA, Rds(on)=50?, 2/6ns SOT-23 Производитель Calogic, LLC www.calogic.net/…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 112 PZM11NB2 Zener diode 11V±2.5%, lf=250mA, 300mW SOT-346 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 111 HZM11NB1 Zener diode 10.44.. 10.88V, lzt=5mA, 200mW SC-59A Производитель Renessas (Hitachi and Mitsubishi) Ltd. www.renesas.eu/

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 111 SST111 n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET) Switching, 35V, 350mW, ldss=20mA, Rds(on)=30?, 2/6ns SOT-23 Производитель Calogic, LLC www.calogic.net/…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 111 PZM11NB1 Zener diode 11V±2.5%, lf=250mA, 300mW SOT-346 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 118A AAT60118A-S14 Voltage Detector integrated circuit 1.8V±2%, +Reset Open Drain Output TSOT-23 Производитель Advanced Analog Technology www.aatech.com.tw/index.aspx…