Alex 7788 posts 4 comments

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 60W Ucb,max 55V Uce,max - Ueb,max - Ic,max 15A Tj,max 150єC Ft,max 860MHz Cctip,pF - Hfe 45T Производитель NEC Caps TO89-3 Применение Dual Аналоги: 2Т9155Б,

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 10W Ucb,max 50V Uce,max - Ueb,max - Ic,max 12A Tj,max 150єC Ft,max 860MHz Cctip,pF - Hfe 45T Производитель FUJITSU Caps TO89-3 Применение Dual Аналоги: 2Т9155А,

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 40W Ucb,max 900V Uce,max 800V Ueb,max 7V Ic,max 3A Tj,max 150єC Ft,max 15MHz Cctip,pF 60 Hfe 10/40 Производитель SANYO Caps TO220 Применение Power, High Voltage,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 400mW Ucb,max 60V Uce,max 50V Ueb,max 5V Ic,max 150mA Tj,max 175єC Ft,max 80MHz Cctip,pF 3.5 Hfe 300T Производитель TOSHIBA Caps TO92 Применение Low Power, General…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 10W Ucb,max 50V Uce,max 20V Ueb,max 8V Ic,max 5A Tj,max 150єC Ft,max 50MHz Cctip,pF 40 Hfe 140MIN Производитель TOSHIBA Caps TO126 Применение Power, General Purpose…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 300mW Ucb,max 120V Uce,max 120V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 50MHz Cctip,pF 3 Hfe 200/400 Производитель TOSHIBA Caps TO92 Применение Low Power, Medium…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 300mW Ucb,max 120V Uce,max 120V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 50MHz Cctip,pF 3 Hfe 350/700 Производитель TOSHIBA Caps TO92 Применение Low Power, Medium…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 650mW Ucb,max 50V Uce,max 25V Ueb,max 5V Ic,max 300mA Tj,max 175єC Ft,max 100MHz Cctip,pF - Hfe 50T Производитель CAL Caps TO5 Применение Medium Power, General Purpose…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 50W Ucb,max 800V Uce,max 325V Ueb,max 8V Ic,max 10A Tj,max 150єC Ft,max 3MHz Cctip,pF - Hfe 15MIN Производитель TOSHIBA Caps TO3 Применение Аналоги: BUY23B, 2N3902,…

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 25W Ucb,max 300V Uce,max 300V Ueb,max 6V Ic,max 1A Tj,max 150єC Ft,max 40MHz Cctip,pF - Hfe 35/330 Производитель MATSUSHITA Caps TO220 Применение Power, TV Deflection…