Транзистор 2N5643

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 40W Ucb,max 65V Uce,max 35V Ueb,max 4V Ic,max 5A Tj,max 200єC Ft,max 175MHz Cctip,pF 65 Hfe 5MIN Производитель MOTOROLA Caps TO128 Применение VHF, Power Аналоги:…

Транзистор 2N5642

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 20W Ucb,max 65V Uce,max 35V Ueb,max 4V Ic,max 3A Tj,max 200єC Ft,max 175MHz Cctip,pF 35 Hfe 5MIN Производитель MOTOROLA Caps TO128 Применение VHF, Power Аналоги:…

Транзистор 2N5641

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 7W Ucb,max 65V Uce,max 35V Ueb,max 4V Ic,max 1A Tj,max 200єC Ft,max 175MHz Cctip,pF 15 Hfe 5MIN Производитель MOTOROLA Caps TO128 Применение VHF, Power Аналоги:…

Транзистор 2N5591

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 25W Ucb,max 36V Uce,max 18V Ueb,max 4V Ic,max 4A Tj,max 200єC Ft,max 175MHz Cctip,pF 120 Hfe 5MIN Производитель MOTOROLA Caps TO128 Применение VHF, Power Аналоги:…

Транзистор 2N5590

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 10W Ucb,max 36V Uce,max 18V Ueb,max 4V Ic,max 2A Tj,max 200єC Ft,max 175MHz Cctip,pF 70 Hfe 5MIN Производитель MOTOROLA Caps TO128 Применение VHF, Power Аналоги:…

Транзистор 2N5589

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 3W Ucb,max 36V Uce,max 18V Ueb,max 4V Ic,max 600mA Tj,max 200єC Ft,max 175MHz Cctip,pF 30 Hfe 5MIN Производитель MOTOROLA Caps TO128 Применение VHF, Medium Power, Hihg…

Транзистор 2N5551

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 310mW Ucb,max 180V Uce,max 160V Ueb,max 6V Ic,max 600mA Tj,max 135єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 6 Hfe 80/250 Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение RF, Medium Power,…

Транзистор 2N5550

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 310mW Ucb,max 160V Uce,max 140V Ueb,max 6V Ic,max 600mA Tj,max 135єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 6 Hfe 80/250 Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение RF, Medium Power,…

Транзистор 2N5483

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 20W Ucb,max 45V Uce,max 30V Ueb,max 3V Ic,max 700mA Tj,max 175єC Ft,max 3GHz Cctip,pF 8 Hfe 20/250 Производитель TRW Caps TO128 Применение Ultra High Frequency, Medium…

Транзистор 2N5401

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 310mW Ucb,max 160V Uce,max 150V Ueb,max 5V Ic,max 600mA Tj,max 135єC Ft,max 100MHz Cctip,pF 6 Hfe 60/240 Производитель MOTOROLA Caps TO92 Применение RF, Medium Power,…