Архивы по месяцам

Декабрь 2013

Транзистор BC557C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF 7 Hfe 450MIN Производитель ZETEX Caps TO92 Применение Low Power, General…

Транзистор BC557B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF 9 Hfe 200MIN Производитель SIEMENS Caps TO92 Применение Low Power, General…

Транзистор BC557A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 75MHz Cctip,pF - Hfe 125MIN Производитель PHILIPS Caps TO92 Применение Low Power, General…

Транзистор BC556B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 80V Uce,max 65V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 8 Hfe 240MIN Производитель TELEFUNKEN Caps TO92 Применение Low Power, General…

Транзистор BC556A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 500mW Ucb,max 80V Uce,max 65V Ueb,max 5B Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 150MHz Cctip,pF 8 Hfe 125MIN Производитель TELEFUNKEN Caps TO92 Применение Low Power, General…

Транзистор BC550C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 150MHz Cctip,pF - Hfe 420MIN Производитель PHILIPS Caps TO92 Применение Low Power, Low Noise,…

Транзистор BC550B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 150MHz Cctip,pF - Hfe 200MIN Производитель PHILIPS Caps TO92 Применение Low Power, Low Noise,…

Транзистор BC550A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 110MIN Производитель ZETEX Caps TO226 Применение Low Power, Low…

Транзистор BC549C

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 30V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 420MIN Производитель PHILIPS Caps TO92 Применение Medium Power,…

Транзистор BC549B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 500mW Ucb,max 30V Uce,max 30V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 200MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 200MIN Производитель PHILIPS Caps TO92 Применение Medium Power,…