Апрель 2017

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Y CMBT3903 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, 250mW, B=50..150, >300MHz SOT-23 Производитель Continental Device India Limited…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Y BF823 Silicon pnp transistor Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz SOT-23 Производитель Continental Device India Limited www.cdil.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1XW BF822 Silicon npn transistor Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz SOT-23 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Xt BF822 Silicon npn transistor Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz SOT-23 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor manufacture is handed…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Xp BF822 Silicon npn transistor Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1XC 2SC4780-C Silicon npn transistor RF applications (>250 MHz), Low Noise, 25V, 50mA, 150mW, B=80..200, 4.5GHz SOT-323 Производитель Panasonic (Matsushita)…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1XB 2SC4780-B Silicon npn transistor RF applications (>250 MHz), Low Noise, 25V, 50mA, 150mW, B=40..100, 4.5GHz SOT-323 Производитель Panasonic (Matsushita)…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1X MMBT930L Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 0.1A, 200mW, B= 100..300, >300MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1X BF822 Silicon npn transistor Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz SOT-23 Производитель ITT Intermetall www.itt-sc.de

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1X 2SC2845 Silicon npn transistor RF applications (>250 MHz), Low Noise, 25V, 70mA, 200mW, B=40..200, 4.5GHz SC-59 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics…