Апрель 2017

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Z MMBT6517 Silicon npn transistor Video output stages, 350V, 250mA, 225mW, B=30..200, <200MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Z BAS70-06 Silicon diode Dual, Schottky Barrier Diode, 70V, 70mA, Vf<1V(15mA), <2pF, 5ns SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1YW BF823 Silicon pnp transistor Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz SOT-23 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Yt BF823 Silicon pnp transistor Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz SOT-23 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor manufacture is handed…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Yp BF823 Silicon pnp transistor Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1YD L8550QLT1 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 800mA, 225mW, B=150..300 SOT-23 Производитель Leshan Radio Company, Ltd. www.lrc-china.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Y YTS3903 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, 250mW, B=50..150, >300MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Y MMBT3903 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, 250mW, B=50..150, >300MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Y KST3903 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, 350mW, B=50..150, >250MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

Контрольная работа № 3 Вариант №4 104. Мощность излучения абсолютно черного тела 10 кВт. Найти вели-чину излучающей поверхности тела, если известно, что длина волны, на которую приходится максимум спектральной плотности его…