Эл.компоненты

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1YD L8550QLT1 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 40V, 800mA, 225mW, B=150..300 SOT-23 Производитель Leshan Radio Company, Ltd. www.lrc-china.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Y YTS3903 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, 250mW, B=50..150, >300MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Y MMBT3903 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, 250mW, B=50..150, >300MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Y KST3903 Silicon pnp transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, 350mW, B=50..150, >250MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Y CMBT3903 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 200mA, 250mW, B=50..150, >300MHz SOT-23 Производитель Continental Device India Limited…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Y BF823 Silicon pnp transistor Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz SOT-23 Производитель Continental Device India Limited www.cdil.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1XW BF822 Silicon npn transistor Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz SOT-23 Производитель Philips China;

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Xt BF822 Silicon npn transistor Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz SOT-23 Производитель Philips, Malaysia (semiconductor manufacture is handed…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Xp BF822 Silicon npn transistor Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1XC 2SC4780-C Silicon npn transistor RF applications (>250 MHz), Low Noise, 25V, 50mA, 150mW, B=80..200, 4.5GHz SOT-323 Производитель Panasonic (Matsushita)…