Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1XB
2SC4780-B
Silicon npn transistor
RF applications (>250 MHz), Low Noise, 25V, 50mA, 150mW, B=40..100, 4.5GHz
SOT-323
Производитель
Panasonic (Matsushita)…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1X
MMBT930L
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 0.1A, 200mW, B= 100..300, >300MHz
SOT-23
Производитель
Motorola Inc. www.motorola.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1X
BF822
Silicon npn transistor
Video output stages, 250V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz
SOT-23
Производитель
ITT Intermetall www.itt-sc.de
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1X
2SC2845
Silicon npn transistor
RF applications (>250 MHz), Low Noise, 25V, 70mA, 200mW, B=40..200, 4.5GHz
SC-59
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1WW
BF821
Silicon pnp transistor
Video output stages, 300V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz
SOT-23
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Wt
BF822W
Silicon npn transistor
Video output stages, 250V, 100mA, 200mW, B>50, >60MHz
SOT-323
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Wt
BF821
Silicon pnp transistor
Video output stages, 300V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz
SOT-23
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor manufacture is handed…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Wp
BF821
Silicon pnp transistor
Video output stages, 300V, 50mA, 250mW, B>50, >60MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1W-
BAP51-05W
PIN-diode
Dual, Radio Frequency applications, 50V, 50mA, 240mW, 0.35pF, 2.50(10mA/100MHz)
SOT-323
Производитель
Philips GmbH
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1W
FMMT3903
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 200mA, 330mW, B=50..150, >250MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com