Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
10R
2SK198-R
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Audio Frequency, Low Noise, 30V, ±20mA, 150mA, ldss=4..12mA, Up<1.5V
SOT-23
Производитель
Panasonic…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
10Q
2SK662-Q
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Small Signal Amplifierlifier, 30V, 20mA, 150mW, ldss=2..6mA, Up<0.8V
SOT-323
Производитель
Panasonic…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
10Q
2SK198-Q
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Audio Frequency, Low Noise, 30V, ±20mA, 150mA, ldss=2..6mA, Up<1.5V
SOT-23
Производитель
Panasonic…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
10P
2SK662-P
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Small Signal Amplifierlifier, 30V, 20mA, 150mW, ldss=0.5..3mA, Up<0.8V
SOT-323
Производитель…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
10P
2SK198-P
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Audio Frequency, Low Noise, 30V, ±20mA, 150mA, ldss=0.5..3mA, Up<1.5V
SOT-23
Производитель
Panasonic…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1NW
BAP70-04W
PIN-diode
Dual Radio Frequency applications, 50V, 100mA, 260mW, 0.6pF, 1.4?(100mA/100MHz)
SOT-323
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Nt
BAP70-04W
PIN-diode
Dual Radio Frequency applications, 50V, 100mA, 260mW, 0.6pF, 1.4?(100mA/100MHz)
SOT-323
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Np
BAP70-04W
PIN-diode
Dual Radio Frequency applications, 50V, 100mA, 260mW, 0.6pF, 1.4?(100mA/100MHz)
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1N8
ZXTP749F
Silicon pnp transistor
Switching, Driver, 35V, 3A, 725mW, B=200..500
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1N8
CMSZ5262B Zener diode
51V±5%, 2.5mA, Zzt=125?, 275mW
SOT-323
Производитель
Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com