Просмотр архива категории
Эл.компоненты
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1N5
ZXT11N15DFTC
Silicon npn transistor
Low collector-emitter saturation voltage, Switching, 40V, 3A, 625mW, B=200..900,145MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1N5
ZXT11N15DFTA
Silicon npn transistor
Low collector-emitter saturation voltage, Switching, 40V, 3A, 625mW, B=200..900,145MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1N?
GMBTA14
Silicon npn Darlington transistor
General Purpose Applications, 30V, 500mA, 225mW, B=10k..20k, 125MHz
SOT-23
Производитель
GTM Corporation www.gtm.com.tw/…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1N
TMPTA14
Silicon npn Darlington transistor
General Purpose Applications, 30V, 500mA, 350mW, B>10000, >125MHz
SOT-23
Производитель
Allegro MicroSystems Inc.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1N
SMBTA14
Silicon npn Darlington transistor
General Purpose Applications, 30V, 300mA, 300mW, B>10000, >125MHz
SOT-23
Производитель
Infineon Technologies AG…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1N
R3131N44DC
Voltage Detector integrated circuit
4.4V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 200ms
SOT-23
Производитель
Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1N
MMBTA14
Silicon npn Darlington transistor
General Purpose Applications, 30V, 300mA, 300mW, B>10000, >125MHz
SOT-23
Производитель
Vishay Semiconductor GmbH…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1N
MMBT3904T
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 200mA, 250mW, B=100..300, >300MHz
SOT-23
Производитель
Diodes Inc. www.diodes.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1N
MMBT3904
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 100mA, 200mW, B= 100..300, >300MHz
SOT-23
Производитель
Vishay Semiconductor GmbH…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1N
KST14
Silicon npn Darlington transistor
General Purpose Applications, 30V, 300mA, 350mW, B>10000, >125MHz
SOT-23
Производитель
Samsung Electronics…