Просмотр архива категории
Эл.компоненты
Коаксиальный кабель: используется в основном для ТВ, спутниковых и кабельных модемов. 3 коаксиальных проводов вместе также может быть адаптирована для работы в качестве компонента или композитный провода. В редких случаях могут также…
Текущий 3D телевизоры используют технологию ЖК затвора, хотя некоторые могут предложить Dolby 3D в будущем. Прочитайте нашу страницу 3D кинотеатр технологии для получения дополнительных сведений о различных видов технологии 3D. Эта страница…
Игровой порт (Gameport/MIDI-port) — разъем ввода-вывода, применяется для подключения аналогового игрового манипулятора или музыкального синтезатора.
Gameport появился очень давно — вскоре после разработки первых IBM PC. У классической…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 410mW
Ucb,max 64V
Uce,max 60V
Ueb,max 12V
Ic,max 250mA
Tj,max 150єC
Ft,max 450KHz
Cctip,pF 150
Hfe 10MIN
Производитель PHILIPS
Caps TO39
Применение Low Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 450mW
Ucb,max 32V
Uce,max 32V
Ueb,max 5V
Ic,max 800mA
Tj,max 200єC
Ft,max 100MHz
Cctip,pF 12
Hfe 100MIN
Производитель SIEMENS
Caps TO18
Применение Medium Power,…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 150mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 50mA
Tj,max 125єC
Ft,max 150MHz
Cctip,pF 4
Hfe 200MIN
Производитель PHILIPS
Caps SOT23
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 350mW
Ucb,max 50V
Uce,max 45V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 300MHz
Cctip,pF 4
Hfe 110MIN
Производитель CDIL
Caps TO236
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 300mW
Ucb,max 30V
Uce,max 20V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 300MHz
Cctip,pF 4
Hfe 420MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO236
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура npn
Pc,max 350mW
Ucb,max 30V
Uce,max 20V
Ueb,max 5V
Ic,max 100mA
Tj,max 150єC
Ft,max 300MHz
Cctip,pF 4
Hfe 110MIN
Производитель CDIL
Caps TO236
Применение Low Power, General…
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 410mW
Ucb,max 70V
Uce,max 70V
Ueb,max 30V
Ic,max 50mA
Tj,max 165єC
Ft,max 15MHz
Cctip,pF -
Hfe 10/35
Производитель STE
Caps TO5
Применение Low Power, Switching,…
