Просмотр архива категории

Эл.компоненты

Транзистор BCY92

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 350mW Ucb,max 40V Uce,max 40V Ueb,max 20V Ic,max 50mA Tj,max 165єC Ft,max 15MHz Cctip,pF - Hfe 40/100 Производитель STE Caps TO18 Применение Low Power, Switching,…

Транзистор BCY54

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 410mW Ucb,max 50V Uce,max 50V Ueb,max 12V Ic,max 250mA Tj,max 150єC Ft,max 450MHz Cctip,pF 150 Hfe 12MIN Производитель PHILIPS Caps TO5 Применение Low Power,…

Транзистор BCY38

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 410mW Ucb,max 32V Uce,max 24V Ueb,max 12V Ic,max 250mA Tj,max 150єC Ft,max 450KHz Cctip,pF 150 Hfe 10MIN Производитель PHILIPS Caps TO39 Применение Low Power,…

Транзистор BCX70

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 150mW Ucb,max 45V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 125MHz Cctip,pF 4.5 Hfe 120MIN Производитель SIEMENS Caps SOT23 Применение Low Power, General…

Транзистор BCX56

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 1W Ucb,max 100V Uce,max 80V Ueb,max 5V Ic,max 1.5A Tj,max 150єC Ft,max 65MHz Cctip,pF - Hfe 40/160 Производитель PHILIPS Caps SP0 Применение Medium Power, High Voltage…

Транзистор BCX53

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 1W Ucb,max 100V Uce,max 80V Ueb,max 5V Ic,max 1.5A Tj,max 150єC Ft,max 25MHz Cctip,pF - Hfe 40/160 Производитель PHILIPS Caps SP0 Применение Medium Power, High Voltage…

Транзистор BCF32

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 350mW Ucb,max 32V Uce,max 32V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 175єC Ft,max 300MHz Cctip,pF - Hfe 200MIN Производитель PHILIPS Caps SOT23 Применение Low Power, Low…

Транзистор BC858A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 200mW Ucb,max 30V Uce,max 30V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 300MHz Cctip,pF 6 Hfe 180MIN Производитель PHILIPS Caps SOT23 Применение Low Power, General…

Транзистор BC857B

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 200mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 300MHz Cctip,pF 6 Hfe 290MIN Производитель PHILIPS Caps SOT23 Применение Low Power, General…

Транзистор BC857A

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 200mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 6V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 300MHz Cctip,pF 6 Hfe 180MIN Производитель PHILIPS Caps SOT23 Применение Low Power, General…