Просмотр архива категории
SMD
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H
BC847
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=110..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H
2SK1860
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Audio Frequency imp-Converter, 20V, 2mA, 150mW, ldss<0.48mA
Minit3-F1
Производитель
Panasonic…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H
2SK123
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Imped-Converter, 20V, 2mA, 100mW, ldss=95..480[jA, 1.6ms
Mini3-G1
Производитель
Panasonic (Matsushita)…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1H
2SK0123
n-channel junction Field Effect Transistor (n-FET)
Imped-Converter, 20V, 2mA, 100mW, ldss=95..480[jA, 1.6ms
Mini3-G1
Производитель
Panasonic (Matsushita)…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1GZ
BC847C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=420..800, >300MHz
SOT-23
Производитель
Zetex plc. www.zetex.com
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1GW
BC847CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1GW
BC847C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1GT
SOAO6
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 500mA, 350mW, B>100, >100MHz
SOT-23
Производитель
SGS-Thomson Microelectronics www.st.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gt
BC847CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gt
BC847C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…