Просмотр архива категории
SMD
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gs
BC847CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800,250MHz
SOT-323
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gs
BC847CT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-416
Производитель
Infineon Technologies AG…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gs
BC847C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 330mW, B=420..800,250MHz
SOT-23
Производитель
Siemens AG www.siemens.de
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gp
BC847CW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1Gp
BC847C
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips Hong Kong
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1GN5L
81N16L-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.6V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1GN5G
81N16G-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.6V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1GN5
81N16-P-AE3-5
Voltage Detector integrated circuit
1.6V±2%, -Reset Open Drain Output
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1GN3L
81N16L-P-AE3-3
Voltage Detector integrated circuit
1.6V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1GN3G
81N16G-P-AE3-3
Voltage Detector integrated circuit
1.6V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free
SOT-23
Производитель
Unisonic Technologies Co., Ltd.…