SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G MMBTA06 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 500mA, 350mW, B>100, >100MHz SOT-23 Производитель Vishay Semiconductor GmbH www.vishay.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G KST06 Silicon npn transistor Audio Frequency-Driver, 80V, 500mA, 350mW, B>50, >100MHz SOT-23 Производитель Samsung Electronics www.korea.samsungsemi.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G FMMTA06 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 500mA, 350mW, B>100, >100MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G CMBTA14 Silicon npn Darlington transistor General Purpose Applications, 60V, 500mA, 250mW, B>10000, >125MHz SOT-23 Производитель Continental Device India…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G CMBTA06 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 500mA, 250mW, B>100, >100MHz SOT-23 Производитель Continental Device India Limited…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G CM9NB847CW Silicon npn transistor Audio Frequency, Switching, 50V, 100mA, 150mW, B=4520..800,100MHz SOT-323 Производитель Canaan Microelectronics Corp. Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G CM9NB847C Silicon npn transistor Audio Frequency, Switching, 50V, 100mA, 200mW, B=4520..800,100MHz SOT-23 Производитель Canaan Microelectronics Corp. Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G BC847CW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 200mW, B=420..800, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G BC847CT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 150mW, B=420..800, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G BC847CF Silicon npn transistor General Purpose Applications, 50V, 100mA, 250mW, B=420..800,250MHz SOT-490 Производитель Philips GmbH