SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1GC3 81C16-P-AE3-3 Voltage Detector integrated circuit 1.6V±2%, -Reset Push-Pull Output SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1GC2L 81C16L-P-AE3-2 Voltage Detector integrated circuit 1.6V±2%, -Reset Push-Pull Output, lead free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1GC2G 81C16G-P-AE3-2 Voltage Detector integrated circuit 1.6V±2%, -Reset Push-Pull Output, halogen free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1GC2 81C16-P-AE3-2 Voltage Detector integrated circuit 1.6V±2%, -Reset Push-Pull Output SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G8 CMSZ5256B Zener diode 30V±5%, 4.2mA, Zzt=49?, 275mW SOT-323 Производитель Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G5 ZXTP25100CFH Silicon pnp transistor Switching, High Voltage, Driver, 115V, 1A, 730mW, B=200..500,180MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса -1G PMSTA06 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 500mA, 200mW, B>50, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G TMPTA06 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 500mA, 350mW, B>100, >100MHz SOT-23 Производитель Allegro MicroSystems Inc.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G SMBTA06 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 500mA, 350mW, B>100, >100MHz SOT-23 Производитель Infineon Technologies AG www.infineon.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1G R3131N21EA Voltage Detector integrated circuit 2.1V±1.5%, +Reset Push-Pull Output, 240ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com