Просмотр архива категории
SMD
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1B
2N2222
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 600mA, 330mW, B=100..300, >250MHz
SOT-23
Производитель
National Semiconductor Corp.…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1AY
2SC3339-Y
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 60V, 150mA, 150mW, B=120..240, >80MHz
SOT-23
Производитель
Toshiba Corporation www.toshiba.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1AW
BC846AW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1AW
BC846A
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips China;
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1At
BC846AW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz
SOT-323
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1At
BC846A
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz
SOT-23
Производитель
Philips, Malaysia (semiconductor…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1AS
2SB1584-S
Silicon pnp transistor
Low collector-emitter saturation voltage, 25V, 500mA, 150MHz, B=170..340
SOT-416
Производитель
Panasonic (Matsushita) Electronics…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1As
BC846AW
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=110..220,250MHz
SOT-323
Производитель
Infineon Technologies AG www.infineon.com…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1As
BC846AT
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz
SOT-416
Производитель
Infineon Technologies AG…
SMD code
Тип
Описание
Параметры
Тип корпуса
1As
BC846A
Silicon npn transistor
General Purpose Applications, 80V, 100mA, 330mW, B=110..220,250MHz
SOT-23
Производитель
Siemens AG www.siemens.de