SMD

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1AR 2SB779-R Silicon pnp transistor Audio Frequency-Driver, 25V, 500mA, 200mW, B=130..220,150MHz SC-59 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1AR 2SB1584-R Silicon pnp transistor Low collector-emitter saturation voltage, 25V, 500mA, 150MHz, B=120..240 SOT-416 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1AQ 2SB779-Q Silicon pnp transistor Audio Frequency-Driver, 25V, 500mA, 200mW, B=90..155,150MHz SC-59 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics Corp.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1AQ 2SB1584-Q Silicon pnp transistor Low collector-emitter saturation voltage, 25V, 500mA, 150MHz, B=85..170 SOT-416 Производитель Panasonic (Matsushita) Electronics…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Ap BC846AW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 200mW, B=110..220, >100MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1Ap BC846A Silicon npn transistor General Purpose Applications, 80V, 100mA, 250mW, B=110..220, >100MHz SOT-23 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1AO 2SC3339-0 Silicon npn transistor General Purpose Applications, 60V, 150mA, 150mW, B=70..140, >80MHz SOT-23 Производитель Toshiba Corporation www.toshiba.com…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1AN5L 81N10L-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 1.0V±2%, -Reset Open Drain Output, lead free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1AN5G 81N10G-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 1.0V±2%, -Reset Open Drain Output, halogen free SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd.…

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1AN5 81N10-P-AE3-5 Voltage Detector integrated circuit 1.0V±2%, -Reset Open Drain Output SOT-23 Производитель Unisonic Technologies Co., Ltd. www.unisonic.com.tw…