Транзистор IRF530

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 90W
Uds,max 100V
Udg,max 100V
Ugs,max 20V
Id,max 16A
Tj,max 175єC
Fr (ton/toff) 30/180
Ciss 900
Rds,ohm 0.160
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Аналоги: NDP510A, STP18N10, BUK453-100A, BUK453-100B, MTP12N10E, RFP12N10, SGSP361, SSP12N08, SSP12N10, КП530,