IRFP064N IRFP064NPBF

Мощные полевые транзисторы

 

IRFP064N IRFP064NPBF  мощные полевые транзисторы с n-каналом.

IRFP064NPBF принципиально отличается от IRFP064N отсутствием свинца.

корпус TO247AC

 Полевые транзисторы имеют изолированный затвор, также они имеют встроенные в цепь «исток-сток» двухстороннего диода. Низкий уровень рассеивания мощности, маленький заряд затвора, также очень низкое сопротивление открытого канала, все это делают полевые транзисторы неповторимыми в работе с различными устройствами: конверторами, зарядные устройства, бесперебойными источниками питания, драйверами двигателей, и т.д. Вследствие, нагрева стока, полевые транзисторы крепятся на радиатор.
IRFP064N-IRFP064NPBF

 

 

Особенности транзистора

 

Напряжение сток-исток 55В
Ток сток-исток 110A при25°C
Напряжение затвор-исток 20В
Пороговое напряжение на затворе
Сопротивление канала в открытом состоянии 8mОм
Максимальная мощность рассеивания 200Вт
Крутизна характеристики 42000 S, mА/В

 

Общие сведения
IRFP064NPBF
Соответствие RoHS Да
Категория Дискретные полупроводники
Семейство Полевые транзисторы — Single
Тип FET MOSFET N-канал, металл-оксид
Функции FET Стандартный
Rds On (Max) при Id, Vgs 8mОм при 55А, 10В
Напряжение истока (VDSS) 55В
Ток непрерывной утечки (Id) 110А при 25° C
Vgs (th) (Max) при Id 4В при 250µА
Заряд затвора (Qg) при Vgs 170nC при 10В
Входная емкость (СНПЧ) при Vds 4000pФ при 25А
Максимальная мощность 200Вт
Тип монтажа Сквозное отверстие

 

Все дополнительные характеристики можете получить, скачав DATASHEET

DATASHEET-irfp064n

DATASHEET-irfp064npbf

Вам также могут понравиться

Оставьте ответ

Ваш электронный адрес не будет опубликован.