IRFP064N IRFP064NPBF
Мощные полевые транзисторы
IRFP064N IRFP064NPBF мощные полевые транзисторы с n-каналом.
IRFP064NPBF принципиально отличается от IRFP064N отсутствием свинца.
корпус TO247AC
Полевые транзисторы имеют изолированный затвор, также они имеют встроенные в цепь «исток-сток» двухстороннего диода. Низкий уровень рассеивания мощности, маленький заряд затвора, также очень низкое сопротивление открытого канала, все это делают полевые транзисторы неповторимыми в работе с различными устройствами: конверторами, зарядные устройства, бесперебойными источниками питания, драйверами двигателей, и т.д. Вследствие, нагрева стока, полевые транзисторы крепятся на радиатор.
Особенности транзистора
| Напряжение сток-исток | 55В |
| Ток сток-исток | 110A при25°C |
| Напряжение затвор-исток | 20В |
| Пороговое напряжение на затворе | 4В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии | 8mОм |
| Максимальная мощность рассеивания | 200Вт |
| Крутизна характеристики | 42000 S, mА/В |
| Общие сведения | |
| IRFP064NPBF | |
| Соответствие RoHS | Да |
| Категория | Дискретные полупроводники |
| Семейство | Полевые транзисторы — Single |
| Тип FET | MOSFET N-канал, металл-оксид |
| Функции FET | Стандартный |
| Rds On (Max) при Id, Vgs | 8mОм при 55А, 10В |
| Напряжение истока (VDSS) | 55В |
| Ток непрерывной утечки (Id) | 110А при 25° C |
| Vgs (th) (Max) при Id | 4В при 250µА |
| Заряд затвора (Qg) при Vgs | 170nC при 10В |
| Входная емкость (СНПЧ) при Vds | 4000pФ при 25А |
| Максимальная мощность | 200Вт |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
Все дополнительные характеристики можете получить, скачав DATASHEET