Транзистор IRF720

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 75W Uds,max 400V Udg,max 400V Ugs,max 20V Id,max 4.2A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 33/90 Ciss 450 Rds,ohm 1.800 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

Транзистор IRL640

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 200V Udg,max Ugs,max 4.5V Id,max 17A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 0.18 Caps TO-220AB Производитель IRF Применение Аналоги:

Транзистор IRF642

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 200V Udg,max Ugs,max Id,max 16A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 98/122nS Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: MTP12N18,…

Транзистор IRF641

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 150V Udg,max Ugs,max Id,max 18A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 98/122nS Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: IRF640;…

Транзистор IRF640

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 200V Udg,max 200V Ugs,max 20V Id,max 18A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 30/105 Ciss 2100 Rds,ohm 0.180 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

Транзистор IRF622

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 40W Uds,max 200V Udg,max Ugs,max Id,max 4A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 1.2 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: MTP3N18;IRF620;…

Транзистор IRF830

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура pnp Pc,max 200W Ucb,max 100V Uce,max 100V Ueb,max 7V Ic,max 16A Tj,max 200єC Ft,max 1MHz Cctip,pF - Hfe 25MIN Производитель MOTOROLA Caps TO3 Применение High Power, High Voltage,…

Транзистор IRF634

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 74W Uds,max 250V Udg,max Ugs,max 10V Id,max 8.1A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 0.45 Caps TO-220AB Производитель IRF Применение Аналоги: STP5N30;…

Транзистор IRF630

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 100W Uds,max 200V Udg,max 200V Ugs,max 20V Id,max 10A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 60/120 Ciss 1500 Rds,ohm 0.400 Caps TO-220 Производитель STE Применение…

Транзистор IRF712

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 36W Uds,max 400V Udg,max Ugs,max Id,max 1.7A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 27/49nS Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: