Транзистор IRF720
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 75W
Uds,max 400V
Udg,max 400V
Ugs,max 20V
Id,max 4.2A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 33/90
Ciss 450
Rds,ohm 1.800
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT…
Транзистор IRL640
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max 4.5V
Id,max 17A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm 0.18
Caps TO-220AB
Производитель IRF
Применение
Аналоги:
Транзистор IRF642
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 16A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 98/122nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: MTP12N18,…
Транзистор IRF641
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 150V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 18A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 98/122nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: IRF640;…
Транзистор IRF640
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 200V
Udg,max 200V
Ugs,max 20V
Id,max 18A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 30/105
Ciss 2100
Rds,ohm 0.180
Caps TO-220
Производитель STE
Применение…
Транзистор IRF622
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 40W
Uds,max 200V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 4A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) -
Ciss -
Rds,ohm 1.2
Caps TO220
Производитель SEMELAB
Применение
Аналоги: MTP3N18;IRF620;…
Транзистор IRF830
Тип Биполярный транзистор
Материал Si
Структура pnp
Pc,max 200W
Ucb,max 100V
Uce,max 100V
Ueb,max 7V
Ic,max 16A
Tj,max 200єC
Ft,max 1MHz
Cctip,pF -
Hfe 25MIN
Производитель MOTOROLA
Caps TO3
Применение High Power, High Voltage,…
Транзистор IRF634
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 74W
Uds,max 250V
Udg,max
Ugs,max 10V
Id,max 8.1A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff)
Ciss
Rds,ohm 0.45
Caps TO-220AB
Производитель IRF
Применение
Аналоги: STP5N30;…
Транзистор IRF630
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 100W
Uds,max 200V
Udg,max 200V
Ugs,max 20V
Id,max 10A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 60/120
Ciss 1500
Rds,ohm 0.400
Caps TO-220
Производитель STE
Применение…
Транзистор IRF712
Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 36W
Uds,max 400V
Udg,max
Ugs,max
Id,max 1.7A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 27/49nS
Ciss
Rds,ohm
Caps TO-220
Производитель SAMSUNG
Применение
Аналоги: