RadioSchema.ru - Информационный сайт электроники и радиоэлектронных компонентов и изделий с подробными характеристиками в pdf, а также много инструкций для ваших гаджетов

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 100V Udg,max Ugs,max - Id,max 4.9A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 47/42nS Ciss - Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: IRF520;…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 43W Uds,max 80V Udg,max Ugs,max - Id,max 5.6A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 47/42nS Ciss - Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: IRF520;…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max Uds,max 100V Udg,max Ugs,max Id,max 5.6A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm 0.540 Caps N/A Производитель INTERSIL Применение Power MOSFET Аналоги:…

MOS FET Channel N 50V, 75A, 200W, <14mOhm(40A)  

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 200W Uds,max 60V Udg,max 60V Ugs,max 20V Id,max 27A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 270/1300 Ciss 5200 Rds,ohm 0.014 Caps TO-218 Производитель STE Применение…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 60W Uds,max 60V Udg,max Ugs,max Id,max 14A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) Ciss Rds,ohm Caps TO-220 Производитель SAMSUNG Применение Аналоги: STP20N06;…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 40W Uds,max 50V Udg,max Ugs,max Id,max 15A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) - Ciss - Rds,ohm 0.1 Caps TO220 Производитель SEMELAB Применение Аналоги: BUZ71;…

Тип FET транзистор Технология MOSFET Palarity N-Channel Pd,max 125W Uds,max 400V Udg,max 400V Ugs,max 20V Id,max 10A Tj,max 150єC Fr (ton/toff) 32/48 Ciss 1450 Rds,ohm 0.550 Caps TO-220 Производитель STE Применение ENHANCEMENT…

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.3 Максимальная температура канала (Tj): 150 Тип…

  Тип:pdf Размер:8.29 мегабайт