Март 2017

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1LM 2SC4103-M Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 30mA, 200mW, B=39..82, >110MHz SOT-323 Производитель Rohm Co., Ltd. www.rohm.co.jp

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1L8 CMSZ5260B Zener diode 43V±5%, 3.0mA, Zzt=93?,275mW SOT-323 Производитель Central Semiconductor Corp. www.centralsemi.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1L5 TC591802ECB Linear voltage regulator integrated circuit Low drop voltage, -1.8V±2%, 200mA SOT-23 Производитель Microchip Technology Inc. www.microchip.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1L0 TC55RP182ECB Linear voltage regulator integrated circuit Low drop voltage, 1.8V±2%, 250mA SOT-23 Производитель Microchip Technology Inc. www.microchip.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса -1L PMST6429 Silicon npn transistor General Purpose Applications, Hi-beta, 55V, 100mA, 200mW, B=250..650,100..700MHz SOT-323 Производитель Philips Hong Kong

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1L R3131N44AC Voltage Detector integrated circuit 4.4V±1.5%, +Reset Open Drain Output, 50ms SOT-23 Производитель Ricoh Co., Ltd www.ricoh.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1L MMBT6429 Silicon npn transistor Audio Frequency, 55V, 200mA, 225mW, B=500..1250, <700MHz SOT-23 Производитель Motorola Inc. www.motorola.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1L FMMT4401 Silicon npn transistor Audio Frequency, 60V, 600mA, 330mW, B=100..300, >250MHz SOT-23 Производитель Zetex plc. www.zetex.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1L BC848CW Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 310mW, B=420..800, >300MHz SOT-323 Производитель ON Semiconductor onsemi.com

SMD code Тип Описание Параметры Тип корпуса 1L BC848CT Silicon npn transistor General Purpose Applications, 30V, 100mA, 200mW, B=480, >100MHz SOT-416 Производитель Philips GmbH