IRF640

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 200V
Udg,max 200V
Ugs,max 20V
Id,max 18A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 30/105
Ciss 2100
Rds,ohm 0.180
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Аналоги: BUK455-200A, BUK455-200B, BUK456-200A, BUK456-200B, MTP15N15, MTP20N20E, RFP12N20, SMP20N20,