IRF831

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 100W
Uds,max 450V
Udg,max 450V
Ugs,max 20V
Id,max 4.5A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 60/42
Ciss 800
Rds,ohm 1.500
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Аналоги: IRF830, IXTP4N45, IXTP4N45A, SGSP364, КП753Б,