IRF820

Тип FET транзистор
Технология MOSFET
Palarity N-Channel
Pd,max 75W
Uds,max 500V
Udg,max 500V
Ugs,max 20V
Id,max 3A
Tj,max 150єC
Fr (ton/toff) 45/110
Ciss 460
Rds,ohm 3.000
Caps TO-220
Производитель STE
Применение ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Аналоги: BUK444-500B, BUK454-500B, MTP3N50E, RFP3N45, RFP3N50, SGSP319, SGSP330, КП820,