SMD транзистор 2SB1000A код AK, AL
Transistor 2SB1000A SMD code AK, AL
Кремниевый PNP низкочастотный транзистор общего применения
Особенности:
— Комплементарная пара с 2SD1366A (произ. RENESAS).
— Маркировка: АK, AL, соответствующая значениям hFE.
— Корпус SC-62 (EIAJ)
Вывод | Назначение |
1 | База |
2 | Коллектор |
3 | Эмиттер |
Корпус | Коллектор |
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символ | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
Vcbo | Напряжение коллектор-база | — | — | — | -30 | В |
Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | -25 | В |
Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | — | -5 | В |
lc | Ток коллектора | — | — | — | -1 | А |
Icp | Ток коллектора импульсный | — | — | — | -1,5 | А |
Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе (с теплоотводом) | Т = 25°С | — | — | 1 | Вт |
Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = -20 В, le = 0 | — | — | -0,1 | мкА |
hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = -2 В, lc = -500 мА | 85 | — | 240 | — |
Vce sat | Напряжение насыщения К-Э | lc = -0,8 A, lb = -80 мА | — | -0,2 | -0,3 | В |
Vbe sat | Напряжение насыщения Б-Э | lc = -0,8 A, lb — —80 мА | — | -0,94 | -1,1 | В |
fT | Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания | Vce = -2 В, lc = -500 мА | — | 200 | — | МГц |
Cob | Выходная емкость | Vcb = -25 В, le = 0, f = 1 МГц | — | 38 | — | пФ |
Значение параметра hFE для кодов данного элемента.
Код |
AK |
AL |
hFE |
85…170 |
120…240 |